| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 150mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Tc) |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
BST82,215 是由 Nexperia 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V。
BST82,215 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（10Ohm @ 150mA, 5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 1mA）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（40 pF @ 10 V）、Power Dissipation (Max)（830mW (Tc)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球領先的、專注于大批量生產關鍵半導體的專家。作為電子元器件領域不可或缺的組成部分，Nexperia提供的各類電子元件是每一項電子設計得以實現的基礎。公司擁有豐富的產品組合，涵蓋了二極管、雙極晶體管、ESD（靜電放電）保護器件、MOSFETs、GaN（氮化鎵）FETs以及模擬與邏輯IC芯片等核心電子產品。
BST82,215 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 Nexperia 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供BST82,215價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 BST82,215 的最新價格和交期信息。
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