PJS6461-AU_S1_000A1是磐成旗下的單 FET、MOSFET 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供PJS6461-AU_S1_000A1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供PJS6461-AU_S1_000A1 datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 30 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Package / Case | SOT-23-6 |
PJS6461-AU_S1_000A1 是由 磐成 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
PJS6461-AU_S1_000A1 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（110mOhm @ 3.2A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（10 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（785 pF @ 30 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 磐成：PANJIT（磐成）作為一家全球性的集成器件制造商（IDM），憑借其深厚的技術積淀和前瞻性的發(fā)展戰(zhàn)略，致力于為全球客戶提供卓越的電子元器件解決方案。公司擁有豐富的產品線，涵蓋了廣泛的電子元件類型，包括高性能的MOSFET、高效率的肖特基二極管、前沿的碳化硅（SiC）器件、經典的雙極結型晶體管（BJT）、整流橋等關鍵電子元器件。這些產品憑借其出色的性能和可靠的質量，廣泛應用于各種嚴苛的電子設備之中。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是磐成代理商，專業(yè)供應PJS6461-AU_S1_000A1等單 FET、MOSFET 產品。如您需要PJS6461-AU_S1_000A1的datasheet數據手冊、規(guī)格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術支持。
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