| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 370mOhm @ 6A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1.25mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4 nC @ 20 V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 259 pF @ 1000 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
C2M0280120D 是由 Wolfspeed 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V。
C2M0280120D 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（370mOhm @ 6A, 20V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.8V @ 1.25mA (Typ)）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（20.4 nC @ 20 V）、Vgs (Max)（+25V, -10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（259 pF @ 1000 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 Wolfspeed：Wolfspeed（中文名：Wolfspeed）是全球領先的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術領域先驅，致力于為提高能源效率和構建可持續未來提供行業領先的解決方案。作為一家在資本市場備受矚目的公司（紐約證券交易所代碼：WOLF），Wolfspeed在高性能半導體元器件領域擁有深厚的積淀和廣泛的市場認可。
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