UF3C120080B7S是科沃旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供UF3C120080B7S現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢(xún)。我們可為您提供UF3C120080B7S datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線(xiàn)詢(xún)價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28.8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 20A, 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 12 V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 754 pF @ 100 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Package / Case | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
UF3C120080B7S 是由 科沃 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。SICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V。
UF3C120080B7S 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（6V @ 10mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（23 nC @ 12 V）、Vgs (Max)（±25V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（754 pF @ 100 V）、Power Dissipation (Max)（190W (Tc)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線(xiàn)等資料。
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