| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 901 pF @ 50 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220AB (H) |
| Package / Case | TO-220-3 |
MSJP11N65-BP 是由 微電子元件公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
MSJP11N65-BP 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（380mOhm @ 5.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（21 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（901 pF @ 50 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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