| Product Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 118 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 224 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Power - Max | 543 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 203 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/100ns |
| Test Condition | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | T-MAX? [B2] |
APT45GR65B2DU30 是由 美高森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 118 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 224 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A。
APT45GR65B2DU30 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（543 W）、Input Type（Standard）、Gate Charge（203 nC）、Td (on/off) @ 25°C（15ns/100ns）、Test Condition（433V, 45A, 4.3Ohm, 15V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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