APT45GR65SSCD10是美高森美旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供APT45GR65SSCD10現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供APT45GR65SSCD10 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 118 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 224 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Power - Max | 543 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 203 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/100ns |
| Test Condition | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D3Pak |
APT45GR65SSCD10 是由 美高森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 118 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 224 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A。
APT45GR65SSCD10 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（543 W）、Input Type（Standard）、Gate Charge（203 nC）、Td (on/off) @ 25°C（15ns/100ns）、Test Condition（433V, 45A, 4.3Ohm, 15V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
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