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| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Power - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Input Type | - |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) @ 25°C | - |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | - |
XGB8206ATI 是由 力特 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT N-CH 20A 350V D2PAK。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active。
關(guān)于 力特：力特產(chǎn)品在利用電能的應(yīng)用中是至關(guān)重要的組件，從消費(fèi)電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施。他們提供業(yè)界最廣泛和最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品組合，同時(shí)在電源控制和傳感領(lǐng)域不斷擴(kuò)展。作為其加速有機(jī)增長(zhǎng)和戰(zhàn)略收購(gòu)的企業(yè)戰(zhàn)略的一部分，他們正在擴(kuò)展到相鄰市場(chǎng)。這些市場(chǎng)包括功率半導(dǎo)體、重型開(kāi)關(guān)、磁性、光學(xué)、機(jī)電和溫度傳感器；以及提供安全控制和分配電能的產(chǎn)品。
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