| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.77V @ 15V, 50A |
| Power - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) @ 25°C | - |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
SIGC28T65EX1SA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 3 CHIP 600V。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 50A。
SIGC28T65EX1SA1 共有 11 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Input Type（Standard）、Operating Temperature（-40°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（Die）、Supplier Device Package（Die） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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