| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 250 W |
| Switching Energy | 1.59mJ (on), 1.34mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 186 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 69ns/404ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 88 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
MIW50N65H-BP 是由 微電子元件公司 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A。
MIW50N65H-BP 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（250 W）、Switching Energy（1.59mJ (on), 1.34mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（186 nC）、Td (on/off) @ 25°C（69ns/404ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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