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| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Power - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Input Type | - |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) @ 25°C | - |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | - |
SNXH160B120L2Q0PG 是由 美國國家半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。SNXH160B120L2QINTEGRATPOWMODUIGB。該器件的核心參數包括:Product Status: Active。
關于 美國國家半導體:美國國家半導體(National Semiconductor),這家在半導體行業擁有悠久歷史和卓越聲譽的**元器件**企業,以其創新的技術和高質量的**電子元件**聞名于世。品牌創立于1959年,總部設在美國,歷經數十載的沉淀與發展,已成為高性能模擬和混合信號**IC芯片**領域的領導者之一。國家半導體始終致力于為全球客戶提供領先的**元器件**解決方案,其產品線廣泛,涵蓋了模擬信號處理、電源管理、數據轉換、放大器、以及接口**IC芯片**等多個關鍵領域,為現代電子設備的核心功能提供強有力的支持。
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