| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 A |
| Power - Max | 2900 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 800A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 93 nF @ 10 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -20°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
MG800J2YS50A 是由 派瑞克斯 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MOD 600V 800A 2900W。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Configuration: Half Bridge、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 800 A、Power - Max: 2900 W、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 800A。
MG800J2YS50A 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Current - Collector Cutoff (Max)（1 mA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（93 nF @ 10 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（No）、Operating Temperature（-20°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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