| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Full Bridge Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Power - Max | 190 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.1 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
FS50R07N2E4BOSA1 是由 英飛凌科技 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MODULE 650V 70A 190W。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Configuration: Full Bridge Inverter、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 70 A、Power - Max: 190 W、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A。
FS50R07N2E4BOSA1 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Current - Collector Cutoff (Max)（1 mA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（3.1 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（Yes）、Operating Temperature（-40°C ~ 125°C） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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