| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Half Bridge Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 750 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 A |
| Power - Max | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 600A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 43000 pF @ 30 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 15-PowerDIP Module (2.827", 71.80mm) |
| Supplier Device Package | AHPM15-CEC |
NVG800A75L4DSB2 是由 安森美 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。MODULE。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Configuration: Half Bridge Inverter、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V、Current - Collector (Ic) (Max): 800 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 600A、Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA。
NVG800A75L4DSB2 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Input Capacitance (Cies) @ Vce（43000 pF @ 30 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（No）、Operating Temperature（-40°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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