EPC2015C是意法半導(dǎo)體旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供EPC2015C現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供EPC2015C datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 33A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 9mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1180 pF @ 20 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
| Package / Case | Die |
EPC2015C 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。GANFET N-CH 40V 53A DIE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V。
EPC2015C 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（4mOhm @ 33A, 5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 9mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（8.7 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（+6V, -4V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1180 pF @ 20 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者，始終致力于推動(dòng)電子元器件技術(shù)的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強(qiáng)型氮化鎵硅基（eGaN?）場效應(yīng)晶體管，成功地將GaN技術(shù)應(yīng)用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實(shí)現(xiàn)了數(shù)倍的飛躍，為眾多尖端應(yīng)用領(lǐng)域提供了卓越的解決方案。
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