SCT3030ARC14是羅姆半導(dǎo)體旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供SCT3030ARC14現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供SCT3030ARC14 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 27A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 13.3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1526 pF @ 500 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 262W |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Package / Case | TO-247-4 |
SCT3030ARC14 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。
SCT3030ARC14 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（39mOhm @ 27A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5.6V @ 13.3mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（104 nC @ 18 V）、Vgs (Max)（+22V, -4V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1526 pF @ 500 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場(chǎng)。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。
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