SCT3017ALHRC11是羅姆半導體旗下的單 FET、MOSFET 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供SCT3017ALHRC11現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供SCT3017ALHRC11 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 118A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.1mOhm @ 47A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 23.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 172 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2884 pF @ 500 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 427W |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Package / Case | TO-247-3 |
SCT3017ALHRC11 是由 羅姆半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 650V 118A TO247N。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。
SCT3017ALHRC11 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（22.1mOhm @ 47A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5.6V @ 23.5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（172 nC @ 18 V）、Vgs (Max)（+22V, -4V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2884 pF @ 500 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
SCT3017ALHRC11 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 羅姆半導體 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供SCT3017ALHRC11價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 SCT3017ALHRC11 的最新價格和交期信息。
深圳凌創輝電子有限公司是羅姆半導體代理商，專業供應SCT3017ALHRC11等單 FET、MOSFET 產品。如您需要SCT3017ALHRC11的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
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