| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | VMT3 |
| Package / Case | SOT-723 |
RUM002N02T2L 是由 羅姆半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V。
RUM002N02T2L 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（1.2Ohm @ 200mA, 2.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 1mA）、Vgs (Max)（±8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（25 pF @ 10 V）、Power Dissipation (Max)（150mW (Ta)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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