EPC2069是意法半導(dǎo)體旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供EPC2069現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供EPC2069 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | - |
| Supplier Device Package | - |
| Package / Case | - |
EPC2069 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Vgs (Max): +6V, -4V。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者，始終致力于推動(dòng)電子元器件技術(shù)的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強(qiáng)型氮化鎵硅基（eGaN?）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，成功地將GaN技術(shù)應(yīng)用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實(shí)現(xiàn)了數(shù)倍的飛躍，為眾多尖端應(yīng)用領(lǐng)域提供了卓越的解決方案。
EPC2069 現(xiàn)貨庫(kù)存充足，可通過(guò)深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司立即采購(gòu)。作為 意法半導(dǎo)體 代理商和供應(yīng)商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來(lái)源可靠可追溯。我們提供EPC2069價(jià)格報(bào)價(jià)查詢、datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦服務(wù)，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)。立即申請(qǐng)報(bào)價(jià)，獲取 EPC2069 的最新價(jià)格和交期信息。
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