XP263N1001TR-G是拓力半導體旗下的單 FET、MOSFET 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供XP263N1001TR-G現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供XP263N1001TR-G datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 20 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
XP263N1001TR-G 是由 拓力半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 60V 1A SOT23。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
XP263N1001TR-G 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（250mOhm @ 500mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.4V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（3.6 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（180 pF @ 20 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 拓力半導體：Torex Semiconductor Ltd.，中文名為拓力半導體，是一家在全球電子元器件市場享有盛譽的領先企業，尤其專注于為電池供電和追求極致能效的應用提供高性能的CMOS電源管理集成電路（IC芯片）。拓力半導體深耕于CMOS模擬技術領域，憑借其在低壓差線性穩壓器（LDO）、電壓檢測器以及DC/DC轉換器等核心產品線上的卓越表現，贏得了廣大工程師和制造商的信賴。其獨特之處在于，通過精密的激光修整技術，拓力半導體能夠提供高達1%甚至2%的高精度電子元件，并且許多器件支持以0.05V的微小步進進行電壓調節，為設計者提供了前所未有的靈活性和精確控制能力，這在任何需要精確電壓軌的精密設備中都至關重...
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