PJQ1902_R1_00001是磐成旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供PJQ1902_R1_00001現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供PJQ1902_R1_00001 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.87 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 34 pF @ 15 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 3-DFN (0.6x1) |
| Package / Case | 3-UFDFN |
PJQ1902_R1_00001 是由 磐成 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V。
PJQ1902_R1_00001 共有 16 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（1.2Ohm @ 350mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.1V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.87 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（34 pF @ 15 V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
關于 磐成：PANJIT（磐成）作為一家全球性的集成器件制造商（IDM），憑借其深厚的技術積淀和前瞻性的發(fā)展戰(zhàn)略，致力于為全球客戶提供卓越的電子元器件解決方案。公司擁有豐富的產(chǎn)品線，涵蓋了廣泛的電子元件類型，包括高性能的MOSFET、高效率的肖特基二極管、前沿的碳化硅（SiC）器件、經(jīng)典的雙極結(jié)型晶體管（BJT）、整流橋等關鍵電子元器件。這些產(chǎn)品憑借其出色的性能和可靠的質(zhì)量，廣泛應用于各種嚴苛的電子設備之中。
PJQ1902_R1_00001 現(xiàn)貨庫存充足，可通過深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司立即采購。作為 磐成 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供PJQ1902_R1_00001價格報價查詢、datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 PJQ1902_R1_00001 的最新價格和交期信息。
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