| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 15A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 149 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6358 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 38W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DFN3333 |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
MCG55P02A-TP 是由 微電子元件公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。P-CHANNEL MOSFET, DFN3333。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V。
MCG55P02A-TP 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（8.3mOhm @ 15A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（149 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（6358 pF @ 10 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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