PJF18N20_T0_00001是磐成旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供PJF18N20_T0_00001現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供PJF18N20_T0_00001 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1017 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
PJF18N20_T0_00001 是由 磐成 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
PJF18N20_T0_00001 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（160mOhm @ 9A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（24 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1017 pF @ 25 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 磐成：PANJIT（磐成）作為一家全球性的集成器件制造商（IDM），憑借其深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的發(fā)展戰(zhàn)略，致力于為全球客戶提供卓越的電子元器件解決方案。公司擁有豐富的產(chǎn)品線，涵蓋了廣泛的電子元件類型，包括高性能的MOSFET、高效率的肖特基二極管、前沿的碳化硅（SiC）器件、經(jīng)典的雙極結(jié)型晶體管（BJT）、整流橋等關(guān)鍵電子元器件。這些產(chǎn)品憑借其出色的性能和可靠的質(zhì)量，廣泛應(yīng)用于各種嚴(yán)苛的電子設(shè)備之中。
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