| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 20A, 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.8 nC @ 15 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 800 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 217W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Package / Case | TO-247-4 |
UF4C120070K4S 是由 科沃 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V。
UF4C120070K4S 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（6V @ 10mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（37.8 nC @ 15 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1370 pF @ 800 V）、Power Dissipation (Max)（217W (Tc)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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