SICW080N120Y4-BP是微電子元件公司旗下的單 FET、MOSFET 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供SICW080N120Y4-BP現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供SICW080N120Y4-BP datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 20A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +22V, -8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 1000 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 223W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Package / Case | TO-247-4 |
SICW080N120Y4-BP 是由 微電子元件公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。
SICW080N120Y4-BP 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（85mOhm @ 20A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.6V @ 5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（41 nC @ 18 V）、Vgs (Max)（+22V, -8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（890 pF @ 1000 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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