| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 15 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
SI3407HE3-TP 是由 微電子元件公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。P-CHANNEL MOSFET,SOT-23。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
SI3407HE3-TP 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（60mOhm @ 4.1A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250μA）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（700 pF @ 15 V）、Power Dissipation (Max)（1.3W） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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