| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 34A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2830 pF @ 15 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 30W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-DFN-EP (3x3) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
AONR21357 是由 萬國半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
AONR21357 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（7.8mOhm @ 20A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.3V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（70 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±25V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2830 pF @ 15 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 萬國半導體：**萬國半導體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應用的功率半導體先驅**
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