| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.9V @ 1.9mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 20 V |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 885 pF @ 800 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 138W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Package / Case | TO-247-4 |
IV1Q12160T4 是由 英威芯科技 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V。
IV1Q12160T4 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（195mOhm @ 10A, 20V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.9V @ 1.9mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（43 nC @ 20 V）、Vgs (Max)（+20V, -5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（885 pF @ 800 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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