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| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5.4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 386 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
IRF9335TRPBF 是由 國(guó)際整流器 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。IRF9335 - 20V-250V P-CHANNEL POW。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
IRF9335TRPBF 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（59mOhm @ 5.4A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.4V @ 10μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（14 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（386 pF @ 25 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 國(guó)際整流器：International Rectifier（中文名：國(guó)際整流器），作為一家在電子元器件行業(yè)享有盛譽(yù)的品牌，憑借其深厚的技術(shù)積淀和卓越的產(chǎn)品性能，在全球范圍內(nèi)贏得了廣泛認(rèn)可。自創(chuàng)立以來(lái)，國(guó)際整流器始終專注于高端電源管理半導(dǎo)體和功率器件的研發(fā)、制造與銷售，為現(xiàn)代電子設(shè)備的發(fā)展注入強(qiáng)大動(dòng)力。其主營(yíng)產(chǎn)品類別涵蓋了功率 MOSFET、IGBT、二極管、整流器、電源管理 IC、模擬 IC 以及一系列高集成度的電源模塊等，這些**電子元件**構(gòu)成了各類電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分。
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