GPI65030TO5L是鎵能旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供GPI65030TO5L現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供GPI65030TO5L datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 3.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 6 V |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 241 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | - |
| Package / Case | - |
GPI65030TO5L 是由 鎵能 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。GaNFET N-CH 650V 30A TO263-5L。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V。
GPI65030TO5L 共有 12 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.4V @ 3.5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（5.8 nC @ 6 V）、Vgs (Max)（+7.5V, -12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（241 pF @ 400 V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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