| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 960mW |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-26 |
| Package / Case | - |
MMFTP6312D 是由 泰迪半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET, SOT-26, -20V, -2.3A, 0,。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A、Power Dissipation (Max): 960mW、Mounting Type: Surface Mount、Supplier Device Package: SOT-26。
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