| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
IRF123 是由 國際整流器 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
IRF123 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（400mOhm @ 4A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（15 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（600 pF @ 25 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 國際整流器：International Rectifier（中文名：國際整流器），作為一家在電子元器件行業享有盛譽的品牌，憑借其深厚的技術積淀和卓越的產品性能，在全球范圍內贏得了廣泛認可。自創立以來，國際整流器始終專注于高端電源管理半導體和功率器件的研發、制造與銷售，為現代電子設備的發展注入強大動力。其主營產品類別涵蓋了功率 MOSFET、IGBT、二極管、整流器、電源管理 IC、模擬 IC 以及一系列高集成度的電源模塊等，這些**電子元件**構成了各類電子系統中的關鍵組成部分。
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