首頁 > 單 FET、MOSFET > 日電 > FS70UMJ-06F

| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 36A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8500 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Package / Case | TO-220-3 |
FS70UMJ-06F 是由 日電 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。70A, 60V, N-CHANNEL MOSFET。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V。
FS70UMJ-06F 共有 15 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(7mOhm @ 36A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2V @ 1mA)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(8500 pF @ 10 V)、Power Dissipation (Max)(125W (Tc)) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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