XP231N02013R-G是拓力半導(dǎo)體旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供XP231N02013R-G現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供XP231N02013R-G datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 10mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.18 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6.5 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-323-3A |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
XP231N02013R-G 是由 拓力半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 30V 200MA SOT323-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V。
XP231N02013R-G 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（5Ohm @ 10mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.8V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.18 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（6.5 pF @ 10 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 拓力半導(dǎo)體：Torex Semiconductor Ltd.，中文名為拓力半導(dǎo)體，是一家在全球電子元器件市場享有盛譽(yù)的領(lǐng)先企業(yè)，尤其專注于為電池供電和追求極致能效的應(yīng)用提供高性能的CMOS電源管理集成電路（IC芯片）。拓力半導(dǎo)體深耕于CMOS模擬技術(shù)領(lǐng)域，憑借其在低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）、電壓檢測器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等核心產(chǎn)品線上的卓越表現(xiàn)，贏得了廣大工程師和制造商的信賴。其獨(dú)特之處在于，通過精密的激光修整技術(shù)，拓力半導(dǎo)體能夠提供高達(dá)1%甚至2%的高精度電子元件，并且許多器件支持以0.05V的微小步進(jìn)進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)，為設(shè)計(jì)者提供了前所未有的靈活性和精確控制能力，這在任何需要精確電壓軌的精密設(shè)備中都至關(guān)重...
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