SI2301AHE3-TP是微電子元件公司旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供SI2301AHE3-TP現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供SI2301AHE3-TP datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.41 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 438 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
SI2301AHE3-TP 是由 微電子元件公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。Interface。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V。
SI2301AHE3-TP 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（51mOhm @ 3.4A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（5.41 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（438 pF @ 10 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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