P1H06300D8是PN結(jié)半導(dǎo)體旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供P1H06300D8現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供P1H06300D8 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 55.5W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DFN8*8 |
| Package / Case | - |
P1H06300D8 是由 PN結(jié)半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。GANFET N-CH 650V 10A DFN 8X8。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V。
P1H06300D8 共有 11 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs (Max)（+10V, -20V）、Power Dissipation (Max)（55.5W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Supplier Device Package（DFN8*8） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 PN結(jié)半導(dǎo)體：PN Junction Semiconductor，中文名“PN結(jié)半導(dǎo)體”，是一家專注于高性能功率半導(dǎo)體器件設(shè)計與銷售的創(chuàng)新型企業(yè)，采用Fabless（無晶圓廠）模式，致力于為全球客戶提供領(lǐng)先的電子元器件解決方案。品牌自成立以來，便與全球頂級的晶圓代工廠X-FAB建立了深厚的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。X-FAB作為一家擁有超過30年歷史且完全通過汽車行業(yè)嚴苛認證的晶圓廠，為PN結(jié)半導(dǎo)體提供了卓越的硅碳化物（SiC）功率器件制造支持，確保了產(chǎn)品的高品質(zhì)與可靠性，使其在競爭激烈的元器件市場中脫穎而出。
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