P3M06120K4是PN結(jié)半導(dǎo)體旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供P3M06120K4現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供P3M06120K4 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 10A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | +20V, -8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 131W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Package / Case | TO-247-4 |
P3M06120K4 是由 PN結(jié)半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 650V 27A TO-247-4。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V。
P3M06120K4 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（158mOhm @ 10A, 15V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 5mA）、Vgs (Max)（+20V, -8V）、Power Dissipation (Max)（131W）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 PN結(jié)半導(dǎo)體：PN Junction Semiconductor，中文名“PN結(jié)半導(dǎo)體”，是一家專注于高性能功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)與銷售的創(chuàng)新型企業(yè)，采用Fabless（無(wú)晶圓廠）模式，致力于為全球客戶提供領(lǐng)先的電子元器件解決方案。品牌自成立以來(lái)，便與全球頂級(jí)的晶圓代工廠X-FAB建立了深厚的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。X-FAB作為一家擁有超過(guò)30年歷史且完全通過(guò)汽車行業(yè)嚴(yán)苛認(rèn)證的晶圓廠，為PN結(jié)半導(dǎo)體提供了卓越的硅碳化物（SiC）功率器件制造支持，確保了產(chǎn)品的高品質(zhì)與可靠性，使其在競(jìng)爭(zhēng)激烈的元器件市場(chǎng)中脫穎而出。
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