| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 20 V |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2770 pF @ 800 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 327W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
IV1Q12050T3 是由 英威芯科技 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V。
IV1Q12050T3 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（65mOhm @ 20A, 20V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.2V @ 6mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（120 nC @ 20 V）、Vgs (Max)（+20V, -5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2770 pF @ 800 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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