P3M12025K3是PN結(jié)半導體旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供P3M12025K3現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供P3M12025K3 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 113A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 17.7mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | +21V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 524W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-3L |
| Package / Case | TO-247-3 |
P3M12025K3 是由 PN結(jié)半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 1200V 113A TO-247-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V。
P3M12025K3 共有 14 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（35mOhm @ 50A, 15V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.4V @ 17.7mA (Typ)）、Vgs (Max)（+21V, -10V）、Power Dissipation (Max)（524W）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 PN結(jié)半導體：PN Junction Semiconductor，中文名“PN結(jié)半導體”，是一家專注于高性能功率半導體器件設(shè)計與銷售的創(chuàng)新型企業(yè)，采用Fabless（無晶圓廠）模式，致力于為全球客戶提供領(lǐng)先的電子元器件解決方案。品牌自成立以來，便與全球頂級的晶圓代工廠X-FAB建立了深厚的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。X-FAB作為一家擁有超過30年歷史且完全通過汽車行業(yè)嚴苛認證的晶圓廠，為PN結(jié)半導體提供了卓越的硅碳化物（SiC）功率器件制造支持，確保了產(chǎn)品的高品質(zhì)與可靠性，使其在競爭激烈的元器件市場中脫穎而出。
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