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| Product Status | Active |
| FET Type | - |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 115W |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Package / Case | TO-247-4 |
E3M0160120K 是由 Wolfspeed 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Power Dissipation (Max): 115W、Operating Temperature: 175°C (TJ)、Mounting Type: Through Hole。
E3M0160120K 共有 8 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Supplier Device Package(TO-247-4L)、Package / Case(TO-247-4) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 Wolfspeed:Wolfspeed(中文名:Wolfspeed)是全球領先的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術領域先驅,致力于為提高能源效率和構建可持續(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。作為一家在資本市場備受矚目的公司(紐約證券交易所代碼:WOLF),Wolfspeed在高性能半導體元器件領域擁有深厚的積淀和廣泛的市場認可。
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