| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 145 pF @ 100 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
| Package / Case | Die |
EPC2012 是由 意法半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。GANFET N-CH 200V 3A DIE。該器件的核心參數包括：Product Status: Discontinued at Digi-Key、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V。
EPC2012 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（100mOhm @ 3A, 5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.8 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（+6V, -5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（145 pF @ 100 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 意法半導體：意法半導體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領域的創新領導者，始終致力于推動電子元器件技術的革新。EPC率先推出了業界首款增強型氮化鎵硅基（eGaN?）場效應晶體管，成功地將GaN技術應用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實現了數倍的飛躍，為眾多尖端應用領域提供了卓越的解決方案。
EPC2012 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 意法半導體 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供EPC2012價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 EPC2012 的最新價格和交期信息。
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