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| Product Status | Obsolete |
| FET Type | - |
| Technology | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
MSJW20N65-BP 是由 微電子元件公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH TO247。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)、Vgs (Max): ±30V、Mounting Type: Through Hole、Supplier Device Package: TO-247-3、Package / Case: TO-247-3。
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