| Product Status | Active |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
EPC2105 是由 意法半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 80V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V。
EPC2105 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（300pF @ 40V, 1100pF @ 40V）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 意法半導體：意法半導體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領域的創新領導者，始終致力于推動電子元器件技術的革新。EPC率先推出了業界首款增強型氮化鎵硅基（eGaN?）場效應晶體管，成功地將GaN技術應用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實現了數倍的飛躍，為眾多尖端應用領域提供了卓越的解決方案。
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