| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 300A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29.5pF @ 1000V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
PAA12400BM3 是由 PN結半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。1200V HALF-BRIDGE。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 300A, 20V。
PAA12400BM3 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 100mA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（29.5pF @ 1000V）、Operating Temperature（-40°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（Module） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 PN結半導體：PN Junction Semiconductor，中文名“PN結半導體”，是一家專注于高性能功率半導體器件設計與銷售的創新型企業，采用Fabless（無晶圓廠）模式，致力于為全球客戶提供領先的電子元器件解決方案。品牌自成立以來，便與全球頂級的晶圓代工廠X-FAB建立了深厚的戰略合作伙伴關系。X-FAB作為一家擁有超過30年歷史且完全通過汽車行業嚴苛認證的晶圓廠，為PN結半導體提供了卓越的硅碳化物（SiC）功率器件制造支持，確保了產品的高品質與可靠性，使其在競爭激烈的元器件市場中脫穎而出。
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