| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W |
| Operating Temperature | 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
DI003N03SQ2 是由 泰迪半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET, SO-8, 30V。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A、Power Dissipation (Max): 1.6W、Operating Temperature: 150°C、Mounting Type: Surface Mount。
DI003N03SQ2 共有 8 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Supplier Device Package（8-SO）、Package / Case（8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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