| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1890 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Package / Case | TO-220-3 |
ICE60N199 是由 艾斯莫斯科技 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。Superjunction MOSFET。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
ICE60N199 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（199mOhm @ 10A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.9V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（64 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1890 pF @ 25 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 艾斯莫斯科技：艾斯莫斯科技（IceMOS Technology）是一家源自美國的高壓超結（Superjunction）功率MOSFET元器件供應商。我們深耕半導體領域，致力于通過獨創的IceMOS設計和領先的知識產權，為全球客戶提供卓越的電源管理解決方案，驅動電子系統的能效提升。作為一家專業的電子元件制造商，艾斯莫斯科技專注于研發和生產高性能功率器件，其核心產品線涵蓋了從600V到750V的寬電壓范圍，能夠滿足各類嚴苛的工業及消費電子應用需求。
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