BLP15H9S10GZ是安普隆旗下的RF FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供BLP15H9S10GZ現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供BLP15H9S10GZ datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | LDMOS |
| Configuration | Dual, Common Source |
| Frequency | 1.4GHz |
| Gain | 22dB |
| Voltage - Test | 50 V |
| Current Rating (Amps) | 1.4μA |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | 60 mA |
| Power - Output | 10W |
| Voltage - Rated | 104 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1483-1 |
| Supplier Device Package | SOT1483-1 |
BLP15H9S10GZ 是由 安普隆 制造的 RF FET、MOSFET 類電子元器件。BLP15H9S10G/SOT1483/REELDP。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: LDMOS、Configuration: Dual, Common Source、Frequency: 1.4GHz、Gain: 22dB、Voltage - Test: 50 V。
BLP15H9S10GZ 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current Rating (Amps)（1.4μA）、Current - Test（60 mA）、Power - Output（10W）、Voltage - Rated（104 V）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安普隆：安普?。ˋmpleon）品牌，自2015年獨(dú)立運(yùn)營(yíng)以來(lái)，已傳承并超越了五十余年射頻功率領(lǐng)域的深厚積淀與領(lǐng)導(dǎo)地位。作為一家專注于高頻應(yīng)用創(chuàng)新的全球性企業(yè)，安普隆致力于通過(guò)先進(jìn)的LDMOS和GaN（氮化鎵）技術(shù)，為構(gòu)建更美好的世界貢獻(xiàn)力量。公司在全球擁有超過(guò)1600名員工，他們以客戶的成功為己任，通過(guò)緊密的合作、伙伴關(guān)系、持續(xù)的創(chuàng)新以及卓越的執(zhí)行力，為客戶提供領(lǐng)先的射頻功率元器件。安普隆提供一系列創(chuàng)新且性能卓越的產(chǎn)品和解決方案，廣泛應(yīng)用于4G LTE和5G NR通信基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)、科學(xué)、醫(yī)療、廣播、航空航天及國(guó)防等關(guān)鍵領(lǐng)域。
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