BLP15H9S10GXY是安普隆旗下的RF FET、MOSFET 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供BLP15H9S10GXY現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供BLP15H9S10GXY datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | LDMOS |
| Configuration | N-Channel |
| Frequency | 2GHz |
| Gain | 21dB |
| Voltage - Test | 50 V |
| Current Rating (Amps) | 1.4μA |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | 50 mA |
| Power - Output | 10W |
| Voltage - Rated | 106 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-270BA |
| Supplier Device Package | TO-270-2G-1 |
BLP15H9S10GXY 是由 安普隆 制造的 RF FET、MOSFET 類電子元器件。BLP15H9S10G/TO270/REEL。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: LDMOS、Configuration: N-Channel、Frequency: 2GHz、Gain: 21dB、Voltage - Test: 50 V。
BLP15H9S10GXY 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Current Rating (Amps)（1.4μA）、Current - Test（50 mA）、Power - Output（10W）、Voltage - Rated（106 V）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 安普隆：安普?。ˋmpleon）品牌，自2015年獨立運營以來，已傳承并超越了五十余年射頻功率領域的深厚積淀與領導地位。作為一家專注于高頻應用創新的全球性企業，安普隆致力于通過先進的LDMOS和GaN（氮化鎵）技術，為構建更美好的世界貢獻力量。公司在全球擁有超過1600名員工，他們以客戶的成功為己任，通過緊密的合作、伙伴關系、持續的創新以及卓越的執行力，為客戶提供領先的射頻功率元器件。安普隆提供一系列創新且性能卓越的產品和解決方案，廣泛應用于4G LTE和5G NR通信基礎設施、工業、科學、醫療、廣播、航空航天及國防等關鍵領域。
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