MHT1108NT1是恩智浦半導(dǎo)體旗下的RF FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MHT1108NT1現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供MHT1108NT1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | LDMOS |
| Configuration | - |
| Frequency | 2.45GHz |
| Gain | 18.6dB |
| Voltage - Test | 32 V |
| Current Rating (Amps) | 10μA |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | 110 mA |
| Power - Output | 12.5W |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 16-VDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 16-DFN (4x6) |
MHT1108NT1 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 RF FET、MOSFET 類電子元器件。RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: LDMOS、Frequency: 2.45GHz、Gain: 18.6dB、Voltage - Test: 32 V、Current Rating (Amps): 10μA。
MHT1108NT1 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Test（110 mA）、Power - Output（12.5W）、Voltage - Rated（65 V）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（16-VDFN Exposed Pad） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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