PMGD290XN,115是Nexperia旗下的FET、MOSFET 陣列 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供PMGD290XN,115現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供PMGD290XN,115 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 34pF @ 20V |
| Power - Max | 410mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP |
PMGD290XN,115 是由 Nexperia 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA。
PMGD290XN,115 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（350mOhm @ 200mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.72nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（34pF @ 20V）、Power - Max（410mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球領先的、專注于大批量生產關鍵半導體的專家。作為電子元器件領域不可或缺的組成部分，Nexperia提供的各類電子元件是每一項電子設計得以實現的基礎。公司擁有豐富的產品組合，涵蓋了二極管、雙極晶體管、ESD（靜電放電）保護器件、MOSFETs、GaN（氮化鎵）FETs以及模擬與邏輯IC芯片等核心電子產品。
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